CMOS技術(0.5 µm 2-poly-3-metal)を用いて、金属-絶縁体-金属(MIM)構造からなる赤外線源アレイを設計する手法を提案しました。赤外線の放射効率の増大と時間応答の高速化を両立するためのエミッタ保持構造を、電磁界解析によって提案しています。
This paper presents a methodology to design infrared emitter array that consists of the metail-insulator-metal structure developed by using the CMOS technology (0.5 µm 2-poly-3metal). Electromagnetic simulation suggests an optimized suspension design for higher infrared emissivity and fast response.